| 产品特性：操作简单 | 是否进口：否 | 产地：中国 |
| 加工定制：否 | 品牌：晶体管参数测试仪 | 型号：JFY3022A |
| 类型：晶体管参数测试仪 | 外形尺寸：680mm | 重量：3Kg |
| 产品用途：晶体管参数测试仪 | 规格：晶体管参数测试仪 |
概述:
JFY3022A晶体管参数测试仪，是一种用于各种电子元件参数测试的多功能测试装置。该机采用大规模MCU设计,中文界面操作,大容量内存,可存2000种元件参数设置数据.仪器外型美观、测量准确、操作简单、使用安全方便,适用电子产品生产厂家或电子元件供应商来料检测。
测量元件类型:
N型三极管,P型三极管,N型MOS场效应管,P型MOS场效应管N型结型场效应管,正负三端稳压IC,三端肖特基,基准器431,整流二极管,整流桥堆，可控硅，稳压二极管.
测量参数:
整流二极管,三端肖特基，整流桥堆:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
正向压降(VF) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐压(VRR) | 0-1500V | 0-2.000MA |
N型三极管:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
输入正向压降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐压(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放大倍数(HEF) | 0-3000 | VCE:0-20V IC:0-2.000A |
饱和压降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
P型三极管:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
输入正向压降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐压(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放大倍数(HEF) | 0-3000 | VCE:5.0V IB:100uA |
饱和压降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
N,P型MOS场效应管:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
启动电压(VGS(th)) | 0-20.00V | 0-2.000mA |
耐压(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000mA |
导通内阻(Rson) | 0.1Mr-200R | Vgs:0-20V Id:0-2.000A |
单双向可控硅:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
触发电流(IGT) | 0-40.MA | VD=0-20V,ID=0-2.000A |
触发电压(VGT) | 0-2.000V | VD=0-20V,ID=0-2.000A |
耐压(VDRM VRRM) | 0-1500V | 0-2.000mA |
通态压降(VTM) | 0-2.000V | IT:0-2.00A |
三端稳压IC:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
输出电压(Vo) | 0-20.00V | Vin:0-20V Io:0-2.00A |
基准IC 431:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
输出电压(Vo) | 0-20.00V | IZ:0-200mA |
稳压二极管:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
稳压值(VZ) | 0-20V | 0-100MA |
稳压值(VZ) | 20-200V | 0-2.000MA |
公司承诺：质量服务承诺：
1.保修期一年，终生免费维护。
2.在保修期内，除人为因素外，任何因仪器设计、材料或工艺不当引起的缺陷、故障我们免费修理或更换。
3.接到用户通知所提供的仪器出现故障后，十分钟内回应.
4.及时向用户以优惠的价格提供所需的备品备件和易
